i23系列芯片組采用微溝槽柵IGBT技術，具有更低的飽和壓降（Vce(sat)）和更高的電流密度，同時可以降低開關損耗，符合業界最高的可靠性標準和要求。d23系列芯片具有更低的正向導通壓降和反向恢復損耗。i23芯片和d23芯片的配合使用，能夠有效使得模塊的性能提升，并保證模塊的可靠性。

i23芯片特點

• 采用微溝槽IGBT技術，實現超低開關損耗（Eon + Eoff）

• 額定電流高達300A，適用于1200V/1700V電壓等級

• 具備寬Rg范圍內的軟關斷可控性，適用于廣泛的應用場景

• 高短路承受能力（ISC）

• 正溫度系數

• 良好的電流均衡特性，易于多器件并聯使用

d23芯片特點

• 1200V：先進發射極效率設計

• 1700V：準局部壽命控制（QLC）設計

• 超低正向壓降（Vf）與低反向恢復損耗（Erec），同時保持軟恢復特性

• 正溫度系數

• i23 IGBT 和d23二極管芯片組優化匹配

競爭優勢

• 具有深厚研發經驗團隊設計的國產IGBT和二極管芯片組

• i23和d23芯片組的開發，使得兩者性能匹配更佳，并保證配合應用模塊的可靠性

應用領域

• 1500V集中式光伏逆變器

• 集中式儲能變流器

• 商用車電驅

• 變頻器

• 逆變焊機

• 牽引輔助電源

• 大功率電源，如UPS等

• 變頻電源

i23系列微溝槽柵IGBT芯片，電壓為1200V和1700V產品，現已量產。

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